金硅面壘型半導體探測器

Name: 金硅面壘型半導體探測器
Brand: 其他品牌
Price: 1000 CNY
Availability: InStock

簡要描述：我公司生產部分耗盡型金硅面壘半導體探測器，A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點，適用于對能譜要求高的場合，如氡釷分析儀等，B 系列在 A 系列的窗前鍍上一個保護層，克服了易損壞、窗不能擦試等缺點適用于對能量分辨率要求不高，作為放射性強度測量的探測器。

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詳情介紹

品牌	其他品牌	產地	國產
加工定制	否

我公司生產部分耗盡型金硅面壘半導體探測器，A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點，適用于對能譜要求高的場合，如氡釷分析儀等，B 系列在 A 系列的窗前鍍上一個保護層，克服了易損壞、窗不能擦試等缺點適用于對能量分辨率要求不高，作為放射性強度測量的探測器。

型號	工作電壓	耗盡區厚度 μm	對比ORTEC U-016-300-100 型探測器（Am-241 面源）真空下測量能量分辯率 1.2?	對比ORTEC U-016-300-100 型探測器（Am-241 面源）真空下測量峰道址202
A-AS20	5~300VDC	大于 1000	0.7~1.4?	204~206
A-AS26	5~300VDC	大于 1000	0.7~1.4?	204~206
B-AS20	5~300VDC	大于 1000	4.0~4.9?	189-191
B-AS26	5~300VDC	大于 1000	4.2~4.9?	189-191